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J-GLOBAL ID：200903081628734297

窒化アルミニウム単結晶の製造方法

Inventor：
亀井 一人

About 亀井 一人

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白井 善久

About 白井 善久

, 
八内 昭博

About 八内 昭博


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006221169
Publication number (International publication number)：2008044810
Application date： Aug. 14, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：
【課題】温度勾配方式の液相LPE法により、基板として使用可能な、高品質のバルクAlN単結晶を安価に安定して製造する。 【解決手段】窒素含有ガスからなる雰囲気中で、AlN単結晶成長用の種結晶基板をAlとNを含む融液の表層と接触させて種結晶基板上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の製造方法において、AlN単結晶の成長中、融液の少なくとも表層の温度Tbを、AlN膜が融液表層に生成する温度Taより1°C以上、100°C以下高くなるように保持する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
窒素含有ガスからなる雰囲気中で、AlN単結晶成長用の種結晶基板をAlとNを含む融液の表層と接触させて種結晶基板上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の製造方法において、AlN単結晶の成長中、融液の少なくとも表層の温度TbをAlN膜が融液表層に生成する温度Taより高く保持することを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C01B 21/072 ,  C30B 19/04
FI (3)：
C30B29/38 C ,  C01B21/072 A ,  C30B19/04
F-Term (13)：
4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077ED01 ,  4G077EH07 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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