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J-GLOBAL ID：200903081737877987
窒素化合物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272529
Publication number (International publication number)：2001156401
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 GaN厚膜を窒素化合物半導体レーザ作製用の基板として用いた場合、従来通りの技術を用いて電極を形成しても閾値電圧がおよそ10Vと大きくなること、また、電極が剥がれやすいことが問題となっていた。【解決手段】 本発明の窒素化合物半導体発光素子は、窒素化合物半導体基板上に複数の窒素化合物半導体膜より構成される発光素子であって、n型電極101と窒素化合物半導体基板103との間にAlを含有する層102を有する。
Claim (excerpt)：
窒素化合物半導体厚膜基板と、窒素化合物半導体厚膜基板上に形成された複数の窒素化合物半導体膜層と、n型電極、p型電極より構成される窒素化合物半導体発光素子であって、窒素化合物半導体厚膜基板は、Alを含有する窒素化合物層と窒素化合物半導体厚膜を有し、Alを含有する窒素化合物層はn型電極と接する側に形成されていることを特徴とする窒素化合物半導体発光素子。
IPC (5)：
H01S 5/32
, G11B 7/125
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/042 610
H01S 5/32
, G11B 7/125 A
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 5/042 610
