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J-GLOBAL ID：200903081878458805

巨大磁気抵抗材料又はスピントンネル接合を具え、層に対し垂直な感度を有する磁界センサ

Inventor： レインデル クーホールン ,  カルス-ミヒエル ハー レンセン ,  パスカル イェー ハー ブルーメン
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000565408
Publication number (International publication number)：2002522792
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Jul. 23, 2002
Summary：

【要約】著しく異なった単軸異方性を有するか、或いは補助強磁性体層との反強磁性交換結合により変更した磁化曲線を有するか、或いはこれらの双方を有する強磁性体層を用いることにより、巨大磁気抵抗材料又はスピントンネル接合に基づく垂直軸感度を有する薄膜磁界センサを形成することを提案する。著しく小型化しうる磁界センサは4つのスピントンネル接合に基づいており、これらが相俟ってホイートストンブリッジを形成する。磁気的に感応する電極は積層の磁束集中器としても機能し、その結果低雑音単一磁区構造が得られる。極めて簡単な設計により、対向電極の磁化方向を固定に容易に規定しうる。極めて低い電力で極めて高い出力電圧が得られる。

Claim (excerpt)：

少なくとも2つの層を有し、薄膜の面に対し垂直な磁界成分を測定する、磁気抵抗に基づく磁界センサが巨大磁気抵抗材料素子又はスピントンネル接合素子を具える当該磁界センサ。

IPC (3)：

G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

F-Term (10)：

2G017AA01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65 ,  2G017BA09 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-302425   Applicant：日本ビクター株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気情報再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-060612   Applicant：株式会社東芝
• 磁界センサー及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-283070   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-205394   Applicant：三菱マテリアル株式会社