磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000039168
Publication number (International publication number)：2001230469
Application date： Feb. 17, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来の磁気トンネル接合(MTJ)素子ではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、両端部には磁極が発生し、さらに、磁気メモリの高密度化を図るにはMTJ素子を微細化する必要があるが、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。【解決手段】 MTJ素子1のメモリ層となる強磁性層14の上に、中央部を離間して閉磁路層15を設ける。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1磁性層、絶縁層、第2磁性層を順に積層した磁気トンネル接合素子であって、少なくとも前記第1又は第2磁性層の前記絶縁層積層側と異なる側に第3磁性層を設け、前記第1及び第3磁性層又は前記第2及び第3磁性層により閉磁路を構成したことを特徴とする磁気トンネル結合素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/15

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/15

F-Term (2)：

5D034BA03 , 5D034BA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-239709 Applicant：ミツミ電機株式会社
磁気メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-255308 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (2)

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-239709 Applicant：ミツミ電機株式会社

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