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J-GLOBAL ID：200903081944639700

半導体装置

Inventor：
原 直紀

About 原 直紀


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999233200
Publication number (International publication number)：2001060684
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電界効果トランジスタに関し、高周波特性を損なうことなくソース・ドレイン間耐圧ならびにゲート・ドレイン間耐圧を向上させることを目的とする。【解決手段】 電界効果トランジスタのゲート電極とドレイン電極間に、ゲート幅方向に不連続的な空乏層変調手段を設け、ゲート電極近傍における電界集中を緩和する。
Claim (excerpt)：
半導体表面に設けられた、ソース電極、ドレイン電極およびそれらの間に設けられたゲート電極、該ゲート電極と該ドレイン電極との間に、該ゲート電極のゲート幅方向に互いに離間して設けられた空乏層変調手段を有する電界効果トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80
FI (2)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 W
F-Term (21)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (7)
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