窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：絹谷信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999367399
Publication number (International publication number)：2001185718
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】電子移動度に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供するものである。【解決手段】気相成長法により、基板2上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させてエピタキシャルウェハ1を形成した後、該エピタキシャルウェハ1に熱処理を施すものである。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させてエピタキシャルウェハを形成した後、該エピタキシャルウェハに熱処理を施すことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (4)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 21/324 C , H01L 29/80 H

F-Term (32)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077FE03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA62 , 5F045GB12 , 5F045HA16 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体基板、半導体素子及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-075295 Applicant：松下電子工業株式会社
高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057070 Applicant：古河電気工業株式会社
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357046 Applicant：日亜化学工業株式会社

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