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J-GLOBAL ID:200903082189618567

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002048322
Publication number (International publication number):2003249512
Application date: Feb. 25, 2002
Publication date: Sep. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 放熱体を備える半導体装置の生産性を向上させることにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)複数の放熱体32が一体化してなる集合体30を、型40の凹部42にセットし、(b)複数の半導体チップ20が平面的に並べて搭載されてなる基板10を、複数の半導体チップ20を凹部42内に配置するように型40にセットし、(c)凹部42に封止材を充填することで、複数の半導体チップ20を封止するとともに、集合体30を取り付けることを含む。
Claim (excerpt):
(a)複数の放熱体が一体化してなる集合体を、型の凹部にセットし、(b)複数の半導体チップが平面的に並べて搭載されてなる基板を、前記複数の半導体チップを前記凹部内に配置するように前記型にセットし、(c)前記凹部に封止材を充填することで、前記複数の半導体チップを封止するとともに、前記集合体を取り付けることを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/56 ,  H01L 23/29
FI (2):
H01L 21/56 T ,  H01L 23/36 A
F-Term (13):
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA26 ,  5F036BB01 ,  5F036BB05 ,  5F036BC01 ,  5F036BC33 ,  5F036BE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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