ナノスケールのデバイスを製造するための干渉分析

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山川政樹 , 山川茂樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007543499
Publication number (International publication number)：2008522412
Application date： Nov. 21, 2005
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：

本発明は、2つの座標系の間の相対的な空間パラメータを決定するシステム及び方法を特徴としており、この2つの座標系は、モールドと、パターンを生成するようにモールドが利用される基板の領域であってよい。このために、複数のポイントにおける2つの座標系の間の相対的なアライメントを検知し、それらの間の相対的な空間パラメータを決定する。相対的な空間パラメータは、相対的なエリアと相対的な形状を含んでいる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

2つの座標系の間の相対的な空間パラメータを決定するシステムにおいて、複数のポイントにおいて前記2つの座標系の間の相対的なアライメントを検知し、それらの間の相対的な空間パラメータを決定する分析システムであって、前記相対的な空間パラメータは、相対的なエリアと相対的な形状を含む、分析システムを有するシステム。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G01B 11/00 , G03F 7/20

FI (4)：

H01L21/30 502D , G01B11/00 A , H01L21/30 525W , G03F7/20 521

F-Term (12)：

2F065AA03 , 2F065BB01 , 2F065CC20 , 2F065FF44 , 2F065FF48 , 2F065GG00 , 2F065JJ00 , 2F065LL41 , 2F065QQ16 , 5F046AA28 , 5F046EC05 , 5F046FC04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国公開特許出願第2004-0065976号明細書
米国公開特許出願第2004-0065252号明細書
米国公開特許出願第2004-0046271号明細書

Cited by examiner (6)

パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-130833 Applicant：ソニー株式会社
2つの対象物間の相対的位置ずれ検出方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-192252 Applicant：キヤノン株式会社
インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-526254 Applicant：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド

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