洗浄液およびその洗浄液を用いた洗浄方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995250957
Publication number (International publication number)：1997092636
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体ウェハなどの基板表面に付着している微小異物を確実に除去するとともに、洗浄液中に存在する微小異物を逆に半導体ウェハなどの基板表面に付着させないで洗浄効果の優れた洗浄液および洗浄方法を提供する。【解決手段】フッ酸と、アンモニア水と、過酸化水素水と、水との混合液またはバッファードフッ酸と、過酸化水素水と、水との混合液からなる。pHは4〜5であることが好ましく、たとえば前記混合液は50wt%のフッ酸と29wt%のアンモニア水と、31wt%の過酸化水素水と、水とが体積比で実質的に1:1:2:300〜500の割合で混合されている。

Claim (excerpt)：

フッ酸と、アンモニア水と、過酸化水素水と、水との混合液からなる洗浄液。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283845 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
半導体部材および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016745 Applicant：キヤノン株式会社
シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203023 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

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