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J-GLOBAL ID:200903082425038330

単結晶ダイヤモンド膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996184036
Publication number (International publication number):1998007492
Application date: Jun. 25, 1996
Publication date: Jan. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 大面積の単結晶ダイヤモンド膜を低コストで得ることができると共に、内部に結晶欠陥が形成されることなく、完全な単結晶膜を気相合成することができる単結晶ダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 単結晶ダイヤモンド膜は、(111)結晶面を有し、白金若しくは白金を50原子%以上含有する白金合金からなる基板又は膜を有する基板を使用して、この基板を水素を含有するプラズマ雰囲気で300°C以上に熱した後、気相合成することにより得られる。また、これらの基板上にダイヤモンド膜を気相合成する際に、気相中にエチレンガスを添加することによっても、単結晶ダイヤモンド膜を得ることができる。
Claim (excerpt):
(100)結晶面を有し、白金若しくは白金を50原子%以上含有する白金合金からなる基板又は膜を水素を含有するプラズマ雰囲気で300°C以上に熱した後、気相合成によりダイヤモンド膜を形成することを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
IPC (2):
C30B 29/04 ,  C30B 25/18
FI (4):
C30B 29/04 B ,  C30B 29/04 P ,  C30B 29/04 Q ,  C30B 25/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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