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J-GLOBAL ID：200903082528528017

光検出素子及び撮像素子、光検出方法及び撮像方法

Inventor：
荻野 昌也

About 荻野 昌也

, 
岩崎 達哉

About 岩崎 達哉


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008164258
Publication number (International publication number)：2009038352
Application date： Jun. 24, 2008
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：
【課題】素子の厚さを薄くすることができ、混色の抑制、色分離性と感度の両立、及び化学的安定性を図り、周辺回路との作製プロセスの適合が可能となる光検出素子及び光検出方法を提供する。【解決手段】光電変換層表面上に半導体材料からなる周期構造を備え、前記周期構造による共鳴領域の少なくとも一部が前記光電変換層に含まれるようにした光検出素子を構成する。 また、光検出方法として光電変換層の表面上に半導体材料からなる周期構造を備え、前記周期構造による共鳴領域の少なくとも一部が前記光電変換層に含まれる光検出素子を用意する工程と、 前記周期構造に光を入射させて、該周期構造により特定波長の光に共鳴を生じさせ、当該共鳴した光を前記光電変換層で光電変換させる工程と、を有する光検出方法を構成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
光電変換層の表面上に半導体材料からなる周期構造を備え、前記周期構造による共鳴領域の少なくとも一部が前記光電変換層に含まれることを特徴とする光検出素子。
IPC (5)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07 ,  H04N 9/097
FI (5)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H04N9/07 A ,  H04N9/097
F-Term (28)：
4M118AB01 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CA34 ,  4M118CB06 ,  4M118GC07 ,  4M118GC11 ,  4M118GC14 ,  5C024EX52 ,  5C024GX07 ,  5C065BB30 ,  5C065DD26 ,  5C065EE03 ,  5C065EE20 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049QA20 ,  5F049SS03 ,  5F049WA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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