強誘電体メモリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：藤巻正憲 , 藤巻正憲 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284566
Publication number (International publication number)：2000114484
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】リーク電流を低くすると共に、耐疲労特性を向上させることができる強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 Alを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層6と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層5とを有する。

Claim (excerpt)：

Alを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層とを有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (10)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C04B 35/49 , H01B 3/12 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 651 , H01B 3/12 301 , H01L 27/10 451 , C04B 35/49 Z , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

F-Term (33)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA29 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031CA03 , 4G031CA08 , 5F001AA17 , 5F001AE50 , 5F001AF07 , 5F001AF25 , 5F038AC15 , 5F038DF05 , 5F038EZ01 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA45 , 5G303AA10 , 5G303AB20 , 5G303BA03 , 5G303BA06 , 5G303CA01 , 5G303CB01 , 5G303CB25 , 5G303CB35 , 5G303CB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特表平4-506791
特表平4-506791
強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-333827 Applicant：シャープ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS
ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS

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