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J-GLOBAL ID：200903082546474170

強誘電体メモリ

Inventor： 樋山 邦夫 ,  坪井 秀樹 ,  岡田 升宏 ,  真田 徳雄 ,  飯島 高志
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社 ,  工業技術院長
Agent (2)： 藤巻 正憲 ,  藤巻 正憲 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284566
Publication number (International publication number)：2000114484
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流を低くすると共に、耐疲労特性を向上させることができる強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 Alを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層6と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層5とを有する。

Claim (excerpt)：

Alを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層とを有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (10)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C04B 35/49 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 651 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 451 ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

F-Term (33)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA29 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  5F001AA17 ,  5F001AE50 ,  5F001AF07 ,  5F001AF25 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ01 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特表平4-506791
  
• 強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333827   Applicant：シャープ株式会社
• 誘電体薄膜素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-295055   Applicant：株式会社村田製作所
• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-213234   Applicant：ヤマハ株式会社
• 強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-284560   Applicant：ヤマハ株式会社, 工業技術院長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS