磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996266359
Publication number (International publication number)：1998112562
Application date： Oct. 07, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、耐食性に優れ、薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができるとともに、線形応答性に優れ、バルクハウゼンノイズを抑制した磁気抵抗効果型センサを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、少なくとも2層の強磁性層32、34が、非磁性層33を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方が、その強磁性層と隣接して設けられた反強磁性体の保磁力増大層31により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層の磁化反転が自由にされてなる磁気抵抗効果型センサであり、前記磁化反転が自由にされてなる強磁性層34に対し、この強磁性層34に縦バイアスを印加して一方向性の交換バイアス磁界により磁気異方性を誘起させて磁区を安定化する反強磁性層35が隣接配置されてなる。

Claim (excerpt)：

少なくとも2層の強磁性層が、非磁性層を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方がその強磁性層と隣接して設けられた第1の反強磁性体よりなる保磁力増大層により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層の磁化反転が自由にされてなる磁気抵抗効果型センサであり、前記磁化反転が自由にされてなる強磁性層に対し、この強磁性層に縦バイアスを印加して一方向性の交換バイアス磁界により磁気異方性を誘起させて磁区を安定化する第2の反強磁性体よりなる反強磁性層が隣接配置されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-067085 Applicant：住友金属工業株式会社
磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-026435 Applicant：株式会社日立製作所
磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-281937 Applicant：株式会社日立製作所

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