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J-GLOBAL ID：200903082694896490

化合物半導体材料のエッチング方法および化合物半導体装置

Inventor：
内山 博幸

About 内山 博幸

, 
篠田 和典

About 篠田 和典


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999055313
Publication number (International publication number)：2000252265
Application date： Mar. 03, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本願発明は、高揮発性成分と低揮発性成分を有する化合物半導体材料を低損失に加工を行なう方法を提供するものである。【解決手段】 本願発明は、エッチング励起用イオンとしてエッチングを行う化合物半導体の構成元素のイオンと、ハロゲンあるいはハロゲン元素を有する化合物等のラジカル等化学的活性種を合わせ用いる。
Claim (excerpt)：
化合物半導体材料を加工容器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に衝突せしめ、且つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料の加工面に対して流入せしめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (3)：
H01L 21/302 F ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72
F-Term (19)：
5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F004AA06 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004DB22
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (7)
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