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J-GLOBAL ID：200903082705100952
磁気抵抗効果素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (8)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005306975
Publication number (International publication number)：2007115960
Application date： Oct. 21, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】適正な面積抵抗RAと高いMR変化率を有する磁気抵抗素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層を形成するにあたり、前記電流パスを形成する第1の非磁性金属層を成膜し、前記第1の非磁性金属層上に、前記絶縁層に変換される第2の金属層を成膜し、第1の酸化工程の酸化ガス分圧を第2の酸化工程の酸化ガス分圧の1/10以下とした、2段階の酸化工程を順次行い、前記第1の酸化工程において前記第2の金属層に希ガスのイオンビームまたはRFプラズマの照射を行うことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層及び前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
前記スペーサ層を形成するにあたり、
前記電流パスを形成する第1の非磁性金属層を成膜し、
前記第1の非磁性金属層上に、前記絶縁層に変換される第2の金属層を成膜し、
第1の酸化工程の酸化ガス分圧を第2の酸化工程の酸化ガス分圧の1/10以下とした、第1の窒化工程の酸化ガス分圧を第2の窒化工程の窒化ガス分圧の1/10以下とした、または第1の酸窒化工程の酸窒化ガス分圧を第2の酸窒化工程の酸窒化ガス分圧の1/10以下とした、酸化工程、窒化工程または酸窒化工程を順次行い、
前記第1の酸化工程、前記第1の窒化工程、または前記第1の酸窒化工程において前記第2の金属層に希ガスのイオンビームまたはRFプラズマの照射を行う
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 43/12
, H01L 43/08
, H01L 43/10
, G11B 5/39
H01L43/12
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
, G11B5/39
5D034BA03
, 5D034CA06
, 5D034DA07
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (3)
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