光電子集積回路及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996280907
Publication number (International publication number)：1998125894
Application date： Oct. 23, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】光出力の大きい発光素子を有し、且つ、集積化を行う上で素子性能の低下がない光電子集積回路(OEIC)、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】同一基板1上に発光素子3と、電子素子及び受光素子2のうち少なくとも一方とを集積してなるOEICであって、前記基板1、電子素子、及び、受光素子2が炭化珪素(SiC)からなり、前記発光素子3がGa(ガリウム)と窒素(N)を含むGaN系化合物半導体からなる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に発光素子と、電子素子及び受光素子のうち少なくとも一方とを集積化してなる光電子集積回路であって、前記基板、電子素子、及び、受光素子がSiCからなり、前記発光素子がGa(ガリウム)とN(窒素)を含むGaN系化合物半導体からなることを特徴とする光電子集積回路。

IPC (3)：

H01L 27/15 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 27/15 A , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-242985
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-053469 Applicant：株式会社東芝
SiC紫外線検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232877 Applicant：株式会社東芝

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