半導体の成長方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302069
Publication number (International publication number)：1998144612
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 GaN系半導体レーザの製造において、GaInN活性層26上にその成長温度よりも高い成長温度で成長させる必要があるp型AlGaNクラッド層29およびp型GaNコンタクト層30の成長温度を、GaInN活性層26の成長温度以上980°C以下、例えば930〜960°Cとする。好ましくは、p型AlGaNクラッド層29の成長前に、GaInN活性層26の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層28により下地表面を覆っておく。

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させるようにした半導体の成長方法において、上記Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度を、上記Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度以上980°C以下にすることを特徴とする半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 M , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-068051 Applicant：住友電気工業株式会社
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213280 Applicant：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体及び発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-218861 Applicant：住友化学工業株式会社

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化合物半導体発光素子およびその製造方法
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