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J-GLOBAL ID：200903082799681830

半導体の成長方法

Inventor： 河合 弘治 ,  池田 昌夫 ,  中村 文彦 ,  橋本 茂樹 ,  朝妻 庸紀 ,  簗嶋 克典
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302069
Publication number (International publication number)：1998144612
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 GaN系半導体レーザの製造において、GaInN活性層26上にその成長温度よりも高い成長温度で成長させる必要があるp型AlGaNクラッド層29およびp型GaNコンタクト層30の成長温度を、GaInN活性層26の成長温度以上980°C以下、例えば930〜960°Cとする。好ましくは、p型AlGaNクラッド層29の成長前に、GaInN活性層26の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層28により下地表面を覆っておく。

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させるようにした半導体の成長方法において、上記Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度を、上記Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度以上980°C以下にすることを特徴とする半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068051   Applicant：住友電気工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213280   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体及び発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-218861   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体製造装置および半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-106922   Applicant：三菱化学株式会社
• 発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-055221   Applicant：三洋電機株式会社