発光素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997055221
Publication number (International publication number)：1998012923
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】発光素子は、第1導電型のIII -V族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層4と、コンタクト層4上に形成されInを含有するIII-V族窒化物系半導体からなる活性層5と、活性層5上に形成されIII -V族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層6と、キャップ層6上に形成され第2導電型のIII -V族窒化物系半導体からなるクラッド層7とを備える。

Claim (excerpt)：

結晶成長可能な第1の成長温度で形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に前記第1の成長温度とほぼ同じかまたは低い第2の成長温度で形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に前記第1の成長温度よりも高い第3の成長温度で形成された第3の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-098633 Applicant：シャープ株式会社
3-5族化合物半導体及び発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-218861 Applicant：住友化学工業株式会社
窒化物半導体単結晶層の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-022085 Applicant：日亜化学工業株式会社

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