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J-GLOBAL ID：200903082828684436

高周波増幅器

Inventor： 伊東 剛 ,  君島 正幸
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 緒方 保人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048778
Publication number (International publication number)：1999234064
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 入力目的周波数の信号における雑音指数の増加、電力の低下をなくした上で、イメージ周波数信号の抑圧を図る。【解決手段】 入力端子1に入力整合回路2を介して、デュアルゲートのFET3の第1ゲート(G1 )が接続され、このFET3のドレイン(D)に出力整合回路4を介して出力端子5が接続され、またソース(S)は接地される。そして、このFET3の第2ゲート(G2 )と接地との間に、コイル14とコンデンサ15を並列に配置した並列共振回路16を接続する。これによれば、並列共振回路の損失分が信号電力に影響を与えず、入力信号の出力低下や雑音指数の増加が抑制され、かつイメージ周波数信号が抑圧される。

Claim (excerpt)：

入力信号を第1ゲートに供給するデュアルゲートの電界効果トランジスタを用いた高周波増幅器において、イメージ周波数で共振しこのイメージ周波数信号を抑圧するための並列共振回路を、上記電界効果トランジスタの第2ゲートと交流接地間に接続したことを特徴とする高周波増幅器。

IPC (3)：

H03F 3/60 ,  H03F 3/191 ,  H04B 1/18

FI (3)：

H03F 3/60 ,  H03F 3/191 ,  H04B 1/18 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-340634   Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• バイアス回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-241903   Applicant：富士通株式会社
• 高周波増幅回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-009127   Applicant：日本電気エンジニアリング株式会社