ガス処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999071928
Publication number (International publication number)：2000269194
Application date： Mar. 17, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマを用いて例えば半導体ウエハに対して成膜やエッチングなどの処理を行うにあたり、良好な処理を行うこと。【解決手段】半導体ウエハに対してガス処理を行うための真空容器に、電子付加型質量分析装置を接続する。この質量分析装置において、真空容器内のガスを取り込み、そのガス中の粒子に電子を付加し、粒子例えば特定のラジカルがイオン化された負イオンの計数値を測定する。このとき電子エネルギーを変化させると計数値が変わり、その計数値のピーク値に基づいてラジカル密度が推定される。この推定結果に基づきマイクロ波パワー、圧力、流量といったプロセス条件を細かくコントロールする。

Claim (excerpt)：

真空容器内に処理ガスを供給して被処理基板に対して所定の処理を施すガス処理装置において、真空容器内から採取したガスに対して電子を放出し、処理ガス中の粒子に当該電子を付着させる電子付加手段と、この電子付加手段により、電子が付着された粒子の負イオンの種類を判別する質量分析手段と、この質量分析手段により判別された負イオンの数の計数値に基づいて、判別された負イオンに対応する処理ガス中の粒子の密度を推定する密度推定手段と、この密度推定手段で推定された粒子の密度の推定結果に基づき、処理ガスの状態に影響を与えるプロセス条件をコントロールする制御部と、を有することを特徴とするガス処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G01N 27/62 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/302 B , G01N 27/62 V , H01L 21/205

F-Term (23)：

5F004BA14 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BC03 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CA08 , 5F004CB01 , 5F004CB04 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH17 , 5F045EH19 , 5F045GB04 , 5F045GB07 , 5F045GB08 , 5F045GB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

中性化学種の検出方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-315912 Applicant：株式会社日立製作所
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-135974 Applicant：堀池靖浩, アネルバ株式会社
特開平3-253586

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