電界放出型電子放出素子及びその作製方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島俊郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999204011
Publication number (International publication number)：2001035350
Application date： Jul. 19, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】簡単に製作できるとともに電子放出効率が高く、画素密度の高い電界放出型電子放出素子を得る。【解決手段】支持体2の上に導電性機能とカーボンナノチューブ用の触媒材料としての機能を有する電極層3を形成し、形成した電極層3の上に絶縁層4を形成する。絶縁層4に1方向にのみ連続した細孔5を形成し、電極層3を幅10nm〜1μmだけ露出させ、露出した電極層3にエミッタとしてのカーボンナノチューブ6を成長させて一定方向に配列し、高精細な電界放出型電子放出素子を容易に製造する。

Claim (excerpt)：

支持体表面の電極層上に設けた絶縁層に開けられた幅1μm以下の限定域に電子を放出するエミッタとしてのカーボンナノチューブを成長させ、カーボンナノチューブの上部にアノード電極を有する電界放出型電子放出素子において、上記電極層にはカーボンナノチューブ用触媒として機能する材料を用いたことを特徴とする電界放出型電子放出素子。

IPC (2)：

H01J 1/304 , H01J 9/02

FI (2)：

H01J 1/30 F , H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-305512 Applicant：キヤノン株式会社
電界放出型電子源の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-083694 Applicant：松下電器産業株式会社
冷陰極およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-164717 Applicant：ソニー株式会社

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