III族窒化物半導体の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007154015
Publication number (International publication number)：2008306114
Application date： Jun. 11, 2007
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：

【課題】スパッタ法によって基板上に積層するIII族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるIII族窒化物半導体の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたIII族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。【解決手段】チャンバ内に基板11及びターゲットを配置し、基板11上にMgがドープされたIII族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Mgをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、MgドープIII族窒化物半導体からなるp型半導体層16を形成する方法としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャンバ内に基板及びターゲットを配置し、前記基板上にMgがドープされたIII族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられたIII族窒化物半導体の製造方法であって、前記スパッタ工程は、Mgをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、前記成膜工程と前記プラズマ処理工程とを交互に繰り返して前記半導体薄膜を積層することにより、III族窒化物半導体を形成することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L21/203 S , H01L33/00 C , H01L21/205

F-Term (38)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA67 , 5F041CA88 , 5F041DA07 , 5F041DA18 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045BB04 , 5F045CA09 , 5F045HA11 , 5F045HA22 , 5F103AA08 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103JJ01 , 5F103KK10 , 5F103LL01 , 5F103NN01 , 5F103PP20 , 5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特公平5-86646号公報
特許第3440873号公報
特許第3700492号公報

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