Pat
J-GLOBAL ID：200903083064287948

III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor：
渡邉 大志

About 渡邉 大志

, 
柴田 直樹

About 柴田 直樹


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000152991
Publication number (International publication number)：2001332763
Application date： May. 24, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 キャップ層(揮発性保護膜)成膜時や井戸層昇温過程における、井戸層とキャップ層との間の半導体組成の拡散を防止することにより、結晶性が十分良好な井戸層を形成し、発光効率が十分に高い半導体発光素子を得る。【解決手段】 量子井戸構造を有する III族窒化物系化合物半導体から成る半導体発光素子の製造工程において、井戸層(例:InGaN層)の形成後に、井戸層上に井戸層の形成温度付近で、井戸層と概ね同組成の III族窒化物系化合物半導体から成るキャップ層を井戸層の結晶成長速度uよりも速い成長速度vで形成し、その後、井戸層を次に形成する III族窒化物系化合物半導体層の結晶成長温度にまで昇温する過程で、キャップ層をこの昇温処理に伴う熱分解により除去する。キャップ層の積層時や昇温時に、井戸層のInはキャップ層には拡散しない。その後、井戸層上に次に形成する III族窒化物系化合物半導体層を積層する。
Claim (excerpt)：
量子井戸構造を有する III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、井戸層の形成後に、前記井戸層上に、前記井戸層の形成温度付近で、前記井戸層と概ね同組成の III族窒化物系化合物半導体から成るキャップ層を前記井戸層の結晶成長速度uよりも速い成長速度v(>u)で形成し、その後、前記井戸層を次に形成する III族窒化物系化合物半導体層の結晶成長温度にまで昇温する過程において、前記キャップ層の一部又は全部をこの昇温処理に伴う熱分解により除去し、その後、前記 III族窒化物系化合物半導体層を形成することを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (5)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
F-Term (26)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045BB05 ,  5F045CA09 ,  5F045DA55 ,  5F045EK27 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM