3族窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998044551
Publication number (International publication number)：1999068159
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】量子井戸構造を有する3族窒化物半導体におけるバリア層形成時の井戸層の昇華を防止し,膜厚を制御し,結晶性を良好とし,発光効率を高めること。【解決手段】基板温度900°CにてN2又はH2を20liter/分,NH3を10liter/分,TMGを2.0×10-4モル/分で供給し,膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層51を形成した。次に,基板温度を600°Cまで低下させ,N2又はH2,NH3の供給量を一定として,TMGを7.2 ×10-5モル/分,TMIを0.19×10-4モル/分で供給し,膜厚約35ÅのIn0.20Ga0.80Nから成る井戸層52を形成した。次に,基板温度を600°Cに保持し,N2又はH2を20liter /分,NH3を10liter/分,TMGを2.0×10-4モル/分で供給し, 膜厚約35ÅのGaNから成るキャップ層53を形成した((a)図)。次に,基板温度を600°Cから900°Cに昇温し,この昇温過程でキャップ層53が熱分解により消失する((b)図)。基板温度が900°Cになった時点で,井戸層52上に次のバリア層51を上記条件にて形成した((c)図)。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体から成る井戸層とバリア層との積層構造を少なくとも1周期有する量子井戸構造を有した3族窒化物半導体の製造方法において、前記井戸層の形成後に、前記井戸層の形成温度付近で前記井戸層よりバンドギャップが広く、前記バリア層と同じ若しくは狭いバンドギャップを有するキャップ層を形成し、その後、前記バリア層の形成時の温度まで昇温する過程において熱分解により前記キャップ層を除去し、前記井戸層上に前記バリア層を形成することを特徴とする3族窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

保護膜のパターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-276424 Applicant：光技術研究開発株式会社
半導体スピン偏極電子源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-115221 Applicant：日本電気株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-240840 Applicant：ソニー株式会社

Show all

Cited by examiner (10)

保護膜のパターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-276424 Applicant：光技術研究開発株式会社
半導体スピン偏極電子源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-115221 Applicant：日本電気株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-240840 Applicant：ソニー株式会社

Show all

Return to Previous Page