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J-GLOBAL ID：200903083093485236

シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法

Inventor：
多和田 裕子

About 多和田 裕子

, 
山本 憲治

About 山本 憲治


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999057056
Publication number (International publication number)：2000252504
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】開放端電圧を低下させることなく増大した短絡電流密度を有するシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】基板(11)上に、光反射性金属層(121)および透明導電性酸化物層(122)を含む裏面電極(12)と、裏面電極(12)上に形成された一導電型層(131)、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット(13)と、光電変換ユニット(13)上に形成された前面透明電極(14)とを備える。透明導電性酸化物層(122)は、ホウ素がドープされて微細な表面テクスチャ構造を有する。
Claim (excerpt)：
基板上に、光反射性金属層および透明導電性酸化物層を含む裏面電極と、前記裏面電極上に形成された、一導電型層、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層および逆導電型層を含むシリコン系薄膜光電変換ユニットと、前記光電変換ユニット上に形成された前面透明電極とを備え、前記透明導電性酸化物層は、ホウ素がドープされて微細な表面テクスチャ構造を有することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。
FI (2)：
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M
F-Term (15)：
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA08 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051FA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 薄膜光電変換装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-242126   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
  • 光起電力素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-242705   Applicant：キヤノン株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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