Pat
J-GLOBAL ID:200903083240333943

電離層電子密度算出装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7): 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006303116
Publication number (International publication number):2008122099
Application date: Nov. 08, 2006
Publication date: May. 29, 2008
Summary:
【課題】電離層の状態に即して、電離層中の所望の位置における電子密度を算出することができる電離層電子密度算出装置を提供する。【解決手段】衛星観測部1は衛星信号を観測し、衛星信号の通過経路における総電子数(TEC)を、観測した衛星信号から求める。演算部42は、衛星観測部1で算出した衛星信号の通過経路における総電子数と、電離層電子密度分布モデルから求めた衛星信号の通過経路における総電子数との差分を算出し、この差分を用いて、電子密度の値を修正するための係数αを算出し、電離層電子密度分布モデルを用いて算出した所望の位置の電子密度に係数αを乗算して修正電子密度を算出する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
複数の航法衛星からそれぞれ送信される複数周波数の衛星信号を受信する衛星信号受信手段と、 この衛星信号受信手段で受信した前記各航法衛星からの前記複数周波数の衛星信号の電離層での周波数による伝搬遅延量の差を用いて、前記各航法衛星について、当該航法衛星からの衛星信号の通過経路における総電子数を観測総電子数として算出する第1の総電子数算出手段と、 電離層の電子密度分布を示す電離層電子密度分布モデルを用いて、前記各航法衛星について、当該航法衛星からの衛星信号の通過経路おける総電子数をモデル総電子数として算出する第2の総電子数算出手段と、 前記各航法衛星について前記観測総電子数と前記モデル総電子数との差分を算出し、この算出した差分を用いて、前記電離層電子密度分布モデルを用いて算出される電子密度の値を修正するための係数を算出する係数算出手段と、 前記電離層電子密度分布モデルを用いて所望の位置の電子密度を算出し、この算出した電子密度に前記係数算出手段で算出した前記係数を乗算して修正電子密度を算出する電子密度算出手段と を備えることを特徴とする電離層電子密度算出装置。
IPC (1):
G01S 5/14
FI (1):
G01S5/14
F-Term (7):
5J062AA09 ,  5J062AA11 ,  5J062CC07 ,  5J062CC13 ,  5J062DD03 ,  5J062DD23 ,  5J062EE02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
  • 電離層電子密度算出装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-303123   Applicant:株式会社東芝
  • 電離層モデル補正方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-165048   Applicant:株式会社東芝
  • 電波伝搬経路推定方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-051519   Applicant:株式会社東芝
Show all
Cited by examiner (6)
  • 電離層電子密度算出装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-303123   Applicant:株式会社東芝
  • 電離層モデル補正方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-165048   Applicant:株式会社東芝
  • 電波伝搬経路推定方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-051519   Applicant:株式会社東芝
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)
  • “1.1.3.電離層擾乱モデルの開発”

Return to Previous Page