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J-GLOBAL ID：200903083309134140

種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置

Inventor：
恩田 正一

About 恩田 正一

, 
原 一都

About 原 一都


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171134
Publication number (International publication number)：2001002499
Application date： Jun. 17, 1999
Publication date： Jan. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 種結晶側面の欠陥、加工ダメージ等に基づく亀裂、ストリエーションといった欠陥のない、良質で大口径の炭化珪素単結晶体を得る。【解決手段】 種結晶1は外形が略円形または多角形のウエハ状に加工した炭化珪素単結晶からなり、その上下表面12、13の一方を炭化珪素単結晶を成長させるための主面としたときに、側面11が主面と垂直な面に対して傾斜するものとする。傾斜する側面11は小径側の表面12の物理的エッチング時に同時にエッチング処理することが可能であり、さらに化学的エッチングを施すことで種結晶1の欠陥、加工ダメージ等を除去し、成長結晶の品質を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
ウエハ状に加工された炭化珪素単結晶よりなり、その上下表面の一方を炭化珪素単結晶を成長させるための主面とする種結晶であって、外形が略円形または多角形であり、側面が上記主面と垂直な面に対して傾斜しているとともに、少なくとも上記主面および上記傾斜する側面に、物理的エッチングおよび化学的エッチングの一方または両方の処理を施してなることを特徴とする種結晶。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00
FI (2)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/00
F-Term (10)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA04 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07 ,  4G077SA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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