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J-GLOBAL ID：200903083322295314

フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置

Inventor： 山口 貴子 ,  黒田 亮
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001017289
Publication number (International publication number)：2001308002
Application date： Jan. 25, 2001
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 エバネッセント光と伝播光の両方を用いた露光において、均一な大小パターン形成を実現する、パターン作製方法及び、パターン作製装置を提供する。【解決手段】 フォトマスクを透過する光の主成分がエバネッセント光となる微小開口と伝播光となる開口を有したフォトマスクを用いたパターン作製方法において、フォトレジストを微小開口の幅以下の膜厚形成し、露光用光をフォトマスクに入射させ、フォトレジストを露光した後に現像を行い、被加工基板上にフォトレジストのパターンを作製した。

Claim (excerpt)：

透過光の主成分がエバネッセント光となる微小開口と伝播光となる開口の混在するフォトマスクを用いて行なうパターン作製方法において前記微小開口の幅以下の膜厚を有するフォトレジストを被加工基板上に形成する工程と露光用光を入射させてフォトレジストを露光する工程とを有することを特徴とするパターン作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 521

FI (6)：

G03F 1/08 D ,  G03F 1/14 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 D ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 573

F-Term (14)：

2H095BA04 ,  2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H095BC01 ,  2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046BA01 ,  5F046BA10 ,  5F046CA07 ,  5F046CB17 ,  5F046JA22 ,  5F046JA27 ,  5F046NA04 ,  5F046NA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319781   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-100341
  
• 露光方法及び露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-322231   Applicant：キヤノン株式会社
• エバネッセント光露光装置及び該エバネッセント光露光装置に用いるマスク及びエバネッセント光露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-355336   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-136853
  
• エバネッセント光露光用マスク、その製造方法およびその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-067122   Applicant：キヤノン株式会社