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J-GLOBAL ID：200903083337044660

半導体レ-ザ

Inventor： 林 伸彦 ,  狩野 隆司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012282
Publication number (International publication number)：2000216490
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 導波路内に光を有効に閉じ込めることが可能であり、レーザ発振光の横モード制御を良好に行うことが出来る半導体レーザを提供する。【解決手段】 Siドープのn-InGaNからなる多重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、導波路の幅を制限する電流ブロック層12が、SiドープのBAlGaNからなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒化物系の半導体材料からなる活性層を有する半導体レーザであって、前記活性層を有する導波路の幅を制限する層が、Bを含有する半導層であることを特徴とする半導体レーザ。

F-Term (13)：

5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB11 ,  5F073EA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-093718   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-036263   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ,及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042755   Applicant：三菱電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-189730   Applicant：株式会社東芝