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J-GLOBAL ID：200903020231161267

半導体レーザ,及びその製造方法

Inventor： 西村 隆司 ,  唐木田 昇市 ,  宮下 宗治 ,  マルクス ディートハード
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996042755
Publication number (International publication number)：1997237933
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 リッジ部両脇付近で起こる発光吸収を防ぎ、レーザ特性の優れた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 リッジ形状に成形されたクラッド層4と、このリッジ部41の両側に埋め込み形成された電流ブロック層とを備え、電流ブロック層は、Al組成Xが0.7より大きいAlX Ga1-X As層を初期成長してなる第1電流ブロック層6aを有する構成としたものである。

Claim (excerpt)：

リッジ形状に形成されたクラッド層と、このリッジ部の両側に埋め込み形成された電流ブロック層とを備え、上記電流ブロック層は、Al組成Xが0.7より大きいAlX Ga1-X As層を初期成長してなる第1電流ブロック層を有することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336373   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-227090
  
• 半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-176702   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ装置とその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-285313   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 半導体レーザおよびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222021   Applicant：ローム株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007382   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321679   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333572   Applicant：ソニー株式会社