半導体レーザ,及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996042755
Publication number (International publication number)：1997237933
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】リッジ部両脇付近で起こる発光吸収を防ぎ、レーザ特性の優れた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】リッジ形状に成形されたクラッド層4と、このリッジ部41の両側に埋め込み形成された電流ブロック層とを備え、電流ブロック層は、Al組成Xが0.7より大きいAlX Ga1-X As層を初期成長してなる第1電流ブロック層6aを有する構成としたものである。

Claim (excerpt)：

リッジ形状に形成されたクラッド層と、このリッジ部の両側に埋め込み形成された電流ブロック層とを備え、上記電流ブロック層は、Al組成Xが0.7より大きいAlX Ga1-X As層を初期成長してなる第1電流ブロック層を有することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336373 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-227090
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-176702 Applicant：三菱電機株式会社

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