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J-GLOBAL ID：200903083341431016

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 有隅 修 ,  清利 正弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005166949
Publication number (International publication number)：2006344659
Application date： Jun. 07, 2005
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：

【課題】 特性や信頼性に優れた絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 下地領域10等上にシリコン酸化物を主成分として含む第1の絶縁膜18を形成する工程と、第1の絶縁膜に水を付着させる工程と、水が付着した第1の絶縁膜上にシリコンを含有した重合体を含む重合体溶液層19を形成する工程と、重合体溶液層からシリコン酸化物を主成分として含む第2の絶縁膜を生成する工程と、を備え、第2の絶縁膜を生成する工程は、重合体と第1の絶縁膜に付着した水との反応によってシリコン酸化物を生成する工程を含む。【選択図】 図11

Claim (excerpt)：

下地領域上にシリコン酸化物を主成分として含む第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜に水を付着させる工程と、 前記水が付着した第1の絶縁膜上にシリコンを含有した重合体を含む重合体溶液層を形成する工程と、 前記重合体溶液層からシリコン酸化物を主成分として含む第2の絶縁膜を生成する工程と、 を備え、 前記第2の絶縁膜を生成する工程は、前記重合体と前記第1の絶縁膜に付着した水との反応によってシリコン酸化物を生成する工程を含む ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (11)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (7)：

H01L21/316 G ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/58 G ,  H01L21/76 L ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/90 K

F-Term (69)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104FF13 ,  4M104GG16 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA70 ,  5F032BB04 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA10 ,  5F032DA22 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS30 ,  5F033VV16 ,  5F033XX19 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP27 ,  5F083EP32 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083JA56 ,  5F083NA01 ,  5F083NA05 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-056799   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

• 組合せ流沈着によるナノポーラスシリカ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-568112   Applicant：アライドシグナル・インコーポレイテッド
• 層間絶縁膜の平坦化方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-037961   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064269   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平4-246175