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J-GLOBAL ID：200903083362215380

強誘電体薄膜キャパシタの製造方法

Inventor： 渡辺 均 ,  由森 博之 ,  三原 孝士 ,  高橋 武博 ,  田所 かおる
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995005772
Publication number (International publication number)：1996153854
Application date： Jan. 18, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、絶縁耐圧特性を改善し、実際のデバイスに応用が可能な薄膜を形成できることを主要な目的とする。【構成】基板上に電気伝導性の金属薄膜または酸化物薄膜からなる下部電極層を形成し、下部電極層上に目的の強誘電体材料の構成元素に相当する複数金属の有機化合物からなる前駆体混合物を主成分とする薄膜を形成し、該薄膜を加熱酸化して金属酸化物薄膜を形成し、形成された強誘電体薄膜に少なくとも1回の急速昇温加熱処理を施し、該強誘電体薄膜上に電気伝導性の金属薄膜又は酸化物薄膜からなる上部電極層を形成し、上部電極層及び強誘電体薄膜、下部電極層等を所定の形状にエッチング加工してキャパシタ構造を形成し、これに再加熱処理を行う工程でなる強誘電体薄膜キャパシタの製法において、急速昇温加熱処理温度が目的とする強誘電体材料の結晶化温度以上であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に電気伝導性の金属薄膜または酸化物薄膜からなる下部電極層を形成する工程と、下部電極層上に目的の強誘電体材料の構成元素に相当する複数金属の有機化合物からなる前駆体混合物を主成分とする薄膜を形成する工程と、この薄膜を加熱酸化して金属酸化物薄膜を形成する工程と、形成された強誘電体薄膜に少なくとも1回の急速昇温加熱処理を施す工程と、形成された強誘電体薄膜上に電気伝導性の金属薄膜または酸化物薄膜からなる上部電極層を形成する工程と、上部電極層及び強誘電体薄膜、下部電極層などを所定の形状にエッチング加工してキャパシタ構造を形成する工程と、これに再加熱処理を行う工程でなる強誘電体薄膜キャパシタの製造方法において、急速昇温加熱処理温度が目的とする強誘電体材料の結晶化温度以上であることを特徴とする強誘電体薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 29/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-239696   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-066356   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 高誘電体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-104256   Applicant：三菱電機株式会社