半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032408
Publication number (International publication number)：1997232677
Application date： Feb. 20, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 1つの半導体レーザから波長の異なる2以上のレーザ光を出力し、かつそれらの光軸を高精度に設定できるようにする。【解決手段】波長の異なるレーザ光を出力する第1、第2の半導体レーザチップ1、2を、放熱基板3に形成されたガイド溝3a、3bに沿って設置した。

Claim (excerpt)：

第1、第2の半導体レーザチップ(1、2)が1つの基板(3)上に設置され、前記第1、第2の半導体レーザチップから波長の異なるレーザ光を出力するようにした半導体レーザであって、前記基板にはガイド溝(3a、3b、3c)が形成されており、前記第1、第2の半導体レーザチップが前記ガイド溝に沿って設置されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01S 3/043 , H01S 3/133 , H01S 3/25

FI (4)：

H01S 3/18 , H01S 3/133 , H01S 3/04 S , H01S 3/23 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭57-084189
半導体レ-ザ装置及び光ピックアップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-107911 Applicant：三洋電機株式会社
レーザダイオード後面放射モニタリング装置及びレーザダイオードアレイ構成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-278042 Applicant：ゼロックスコーポレイション

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