Pat

J-GLOBAL ID：200903083422742920

接続孔を有する半導体装置及びその製造方法

Inventor： 蒲池 勝彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995045415
Publication number (International publication number)：1996241924
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 スループット低下や重なり部分の余裕欠落の問題などをもたらさずに下層配線との接続をとる接続孔の形成技術を改良し、該接続孔の形成によっても悪影響の生じない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@下層配線5との接続をとる接続孔8を有する半導体装置において、下層配線の上部外縁(周囲もしくは外周外縁)には該下層配線と同じ高さ位置のストッパー膜4が形成されている。?A下層配線を形成する(埋め込む)絶縁膜3上にストッパー材料膜を形成し、該ストッパー材料膜及び絶縁膜を加工して下層配線パターン51を形成し、該下層配線パターンに導電材料を形成して下層配線5とし、その後上層絶縁膜7を形成し、該上層絶縁膜を加工して、下層配線と重なり合う部分を有する接続孔6を形成するとともに、ストッパー材料膜はこのときの加工の下方への影響を遮断する役割を果たさせる。

Claim (excerpt)：

下層配線との接続をとる接続孔を有する半導体装置において、下層配線の上部外縁には該下層配線と同じ高さ位置のストッパー膜が形成されていることを特徴とする接続孔を有する半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-166179   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-146249   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-077247   Applicant：三菱電機株式会社