αタンタル膜の製造方法、αタンタル膜及びそれを用いた素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000375765
Publication number (International publication number)：2001335919
Application date： Dec. 11, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】低比抵抗のαタンタル膜を、製造コストの増大を抑制しつつ、効率よく製造することが可能なαタンタル膜の製造方法及び該製造方法により製造されるタンタル膜及び該タンタル膜を用いてなる素子を提供する。【解決手段】窒素雰囲気中で、基材上にαタンタル又は窒化タンタルからなる下地膜を成膜した後、(a)窒素を含有しない雰囲気中で、前記下地膜上にタンタル膜を成膜する方法、(b)前記下地膜形成工程とは窒素含有率の異なる窒素雰囲気中でタンタル膜を成膜する方法、(c)窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、(d)基板に到達する窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、のいずれかの方法により、下地膜上にαタンタル膜を成長させる。

Claim (excerpt)：

所定の窒素雰囲気中で、基材上にαタンタル又は窒化タンタルからなる下地膜を成膜する下地膜形成工程と、前記下地膜形成工程の後に、(a)窒素を含有しない雰囲気中で、前記下地膜上にタンタル膜を成膜する方法、(b)前記下地膜形成工程とは窒素含有率の異なる窒素雰囲気中でタンタル膜を成膜する方法、(c)窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、(d)基板に到達する窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、のいずれかの方法により、前記下地膜上にαタンタル膜を成長させることにより、αタンタル膜からなる上部膜(上部αタンタル膜)を形成する上部膜形成工程とを具備することを特徴とするαタンタル膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/14 , H01L 21/203 , H01L 21/28 301

FI (3)：

C23C 14/14 D , H01L 21/203 S , H01L 21/28 301 R

F-Term (24)：

4K029BA16 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BD01 , 4K029CA03 , 4K029CA04 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029EA01 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4M104BB17 , 4M104BB32 , 4M104BB37 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD41 , 4M104FF13 , 4M104HH16 , 5F103AA08 , 5F103DD28 , 5F103DD30 , 5F103NN06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

タンタル膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197444 Applicant：シチズン時計株式会社
低抵抗タンタル薄膜の製造方法及び低抵抗タンタル配線並びに電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158411 Applicant：日本電気株式会社, 日立金属株式会社
電極基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-085430 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Return to Previous Page