ALDによる湿式成膜方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井博樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005083722
Publication number (International publication number)：2006269620
Application date： Mar. 23, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】真空装置を不要にして全体としてコンパクト化及び低コスト化を実現できるALDによる湿式成膜方法および装置を提供すること。【解決手段】本ALDによる湿式成膜方法は、ALDによる膜形成用の原料液体を、該原料液体の沸点以下の温度範囲で昇温した基板表面に大気圧下で接触させる工程と、前記基板表面から前記原料液体を除く工程と、前記ALDによる膜形成用の酸化剤液体又は窒化剤液体を、該酸化剤液体又は窒化剤液体の沸点以下の温度範囲で昇温した前記基板表面に大気圧下で接触させる工程と、前記基板表面から前記酸化剤液体を除く工程と、を1サイクルとして基板表面に1原子層の薄膜が形成され、前記サイクルを繰り返すことで多原子層の薄膜が形成されること。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

原子層成長(ALD)による膜形成用の原料液体を、該原料液体の沸点以下の温度範囲で昇温した基板表面に大気圧下または大気圧以下の減圧下で接触させる工程と、前記基板表面から前記原料液体を除く工程と、前記ALDによる膜形成用の酸化剤液体又は窒化剤液体を、該酸化剤液体又は窒化剤液体の沸点以下の温度範囲で昇温した前記基板表面に大気圧下または大気圧以下の減圧下で接触させる工程と、前記基板表面から前記酸化剤液体又は窒化剤液体を除く工程と、を1サイクルとして基板表面に1原子層の薄膜が形成され、前記サイクルを繰り返すことで多原子層の薄膜が形成されることを特徴とするALDによる湿式成膜方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L21/316 B , C23C16/40 , H01L21/31 A , H01L29/78 617V , H01L29/78 301G

F-Term (32)：

4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030HA01 , 4K030HA02 , 4K030HA11 , 4K030JA09 , 4K030LA02 , 4K030LA18 , 5F045AB32 , 5F045AC03 , 5F045CA15 , 5F045EB19 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD06 , 5F140BE09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

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Cited by examiner (5)

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