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J-GLOBAL ID:200903063317139354
酸化物薄膜の製造方法および製造装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001377102
Publication number (International publication number):2003176109
Application date: Dec. 11, 2001
Publication date: Jun. 24, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 ALD法の長所をそのまま活かしつつ、その短所である、生成した酸化物膜に不純物が残留しやすいという問題を解決する。【解決手投】 表面処理を施した基板を加熱し、その表面に、酸化物形成原料を基板に吸着または堆積させた後、酸化物形成を行い酸化物薄膜を製造する方法において、液体状の水を用いて酸化物薄膜を製造する。
Claim (excerpt):
酸化物形成原料を基板に吸着または堆積させた後、酸化物形成反応により酸化物薄膜を製造する方法において、酸化物形成反応を液体状の水を用いて行うことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。
IPC (5):
C01B 13/14
, C01B 13/32
, C01B 33/12
, H01L 21/316
, H01L 29/78
FI (5):
C01B 13/14 Z
, C01B 13/32
, C01B 33/12 Z
, H01L 21/316 B
, H01L 29/78 301 G
F-Term (30):
4G042DA01
, 4G042DB04
, 4G042DB11
, 4G042DD02
, 4G042DE04
, 4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH08
, 4G072JJ11
, 4G072MM01
, 4G072RR01
, 4G072RR12
, 5F058BA06
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BE10
, 5F058BF69
, 5F058BF80
, 5F058BJ01
, 5F140AA00
, 5F140BA01
, 5F140BD06
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BE01
, 5F140BE03
, 5F140BE09
, 5F140BE13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
金属酸化物含有皮膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-159279
Applicant:コニカ株式会社
-
金属酸化物薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-051604
Applicant:株式会社トクヤマ
-
特公昭41-003608
-
集積回路誘電体の製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-301396
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
-
シリカ膜の製造装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-176899
Applicant:三星電子株式会社
-
特公昭43-004651
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