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J-GLOBAL ID：200903083723269960

転写露光方法、転写露光装置及びパターン転写用マスク

Inventor：
平柳 徳行

About 平柳 徳行


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997218343
Publication number (International publication number)：1999054413
Application date： Jul. 30, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 大型のマスク作製に伴う困難及び転写精度劣化を解消することのできる転写露光方法を提供する。【解決手段】 本転写露光方法では、1露光単位分のパターン領域をカバーするマスク51を、複数枚のマスク基板55-1〜4に分割して作製し、該マスク基板55-1〜4を転写露光装置内に並置する。そして、複数のマスク基板55-1〜4の各々に対して、個別に基板の座標の測定を行い、測定された個別の各マスク基板座標に基づいて露光位置補正を行うとともに、該マスク基板上のパターンの転写露光を行う。
Claim (excerpt)：
マスクに形成されたパターンにエネルギ線を当て、該マスクを通過してパターン化されたエネルギ線を感応基板上に結像転写する転写露光方法であって;1露光単位分のパターン領域をカバーするマスクを、複数枚のマスク基板に分割して作製し、該複数枚のマスク基板を転写露光装置内に並置し、該複数のマスク基板の各々に対して、個別に基板の座標の測定を行い、測定された個別の各マスク基板座標に基づいて露光位置補正を行うとともに、該マスク基板上のパターンの転写露光を行うことを特徴とする転写露光方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521
FI (5)：
H01L 21/30 541 S ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 K ,  H01L 21/30 541 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平4-140753
  • 位置合わせ用マーク構造、その製法、リソグラフィマスク
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050177   Applicant：沖電気工業株式会社, 株式会社ソルテック
  • 露光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-327919   Applicant：株式会社ニコン
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