半導体素子の保護回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006077952
Publication number (International publication number)：2007259533
Application date： Mar. 22, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】信頼性が高い半導体装置の保護回路を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置の保護回路は、一対の主端子と、該主端子対に流れる電流を制御する制御端子とを有する半導体素子の主端子対の電位が低い方の端子の電流を検出する電流検出手段と、前記半導体の制御端子の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流検出手段の出力信号と電圧検出手段の出力信号の両方の信号を入力し、電流検出手段の出力信号と電圧検出手段の出力信号の両方が予め定めた異常信号を示す場合に、異常信号を出力する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の主端子と、該主端子対に流れる電流を制御する制御端子とを有する半導体素子の主端子対の電位が低い方の端子の電流を検出する電流検出手段と、前記半導体の制御端子の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流検出手段の出力信号と電圧検出手段の出力信号の両方の信号を入力し、前記制御端子の電圧を制御する信号を出力する手段とを有することを特徴とする半導体装置の保護回路。

IPC (2)：

H02H 7/20 , H02M 7/48

FI (2)：

H02H7/20 D , H02M7/48 M

F-Term (15)：

5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053BA01 , 5G053BA04 , 5G053CA01 , 5G053EB01 , 5G053EC03 , 5H007AA17 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007DB01 , 5H007DC02 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電力制御用半導体素子の保護装置及びそれを備えた電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-169715 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

半導体回路及びパワートランジスタ保護回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-269846 Applicant：三菱電機株式会社
電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-133727 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭57-129128

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