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J-GLOBAL ID：200903083932171293
圧電素子とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996184557
Publication number (International publication number)：1997092895
Application date： Jul. 15, 1996
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高歩留、高信頼性を有する圧電素子を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明の圧電素子の製造方法は、第1の基板1および圧電体からなる第2の基板2の主面を鏡面仕上げする工程と、主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、第1の基板1および第2の基板2の主面を重ね合わせる工程と、重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、第1の基板1に第2の基板2の一部を露出させる開口部を形成する工程と、開口部に露出した第2の基板2の領域またはその領域に対向する第2の基板2の主面の双方またはいずれか一方に電極4を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、接合した基板を複数の圧電素子に分割する工程とを有する。
Claim (excerpt)：
第1の基板および圧電体からなる第2の基板の主面を鏡面仕上げする工程と、前記主面の双方またはいずれか一方に複数の溝を形成する工程と、前記第1の基板および前記第2の基板の前記主面を重ね合わせる工程と、前記重ね合わせた基板を熱処理し接合する工程と、前記第1の基板に前記第2の基板の一部を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第2の基板の領域またはその領域に対向する前記第2の基板の主面の双方またはいずれか一方に電極を形成し複数の圧電素子を形成する工程と、前記接合した基板を前記複数の圧電素子に分割する工程とを有する圧電素子の製造方法。
IPC (9)：
H01L 41/08
, H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 41/22
, H03H 3/02
, H03H 3/08
, H03H 9/19
, H03H 9/25
, H01L 27/00 301
H01L 41/08 D
, H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
, H03H 3/02 B
, H03H 3/08
, H03H 9/19 A
, H03H 9/25 C
, H01L 27/00 301 B
, H01L 41/22 Z
Cited by examiner (5)
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特開平4-283957
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圧電複合基板の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-177797
Applicant：松下電器産業株式会社
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圧電体-半導体複合基板の製造方法とそれを用いた圧電デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-316353
Applicant：松下電器産業株式会社
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