配線膜形成方法及び配線膜構造

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宇高克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999060118
Publication number (International publication number)：2000260865
Application date： Mar. 08, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】超微細な多層配線構造体を形成するに際して、銅膜が綺麗で簡単に形成できる技術を提供することである。【解決手段】半導体基板に銅配線膜を形成する方法であって、有機銅化合物を含む溶液を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で塗布された有機銅化合物を分解させる分解工程とを具備する配線膜形成方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板に銅配線膜を形成する方法であって、有機銅化合物を含む溶液を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で塗布された有機銅化合物を分解させる分解工程とを具備することを特徴とする配線膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/288

FI (2)：

H01L 21/90 Q , H01L 21/288 Z

F-Term (89)：

4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104FF21 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ25 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP00 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ76 , 5F033QQ81 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ89 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033XX03 , 5F033XX08 , 5F033XX33 , 5F033XX34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-132035
成膜方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-308668 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
薄膜形成方法及び形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-357584 Applicant：富士通株式会社

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