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J-GLOBAL ID：200903084200593035

III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板

Inventor：
岡久 拓司

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川瀬 智博

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上村 智喜

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西岡 志行

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荒川 聡

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Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007300461
Publication number (International publication number)：2009126723
Application date： Nov. 20, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：
【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるIII族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される(ステップS1)。そして、気相成長法により下地基板上に、四塩化珪素(SiCl4)ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶が成長される(ステップS2)。この第1のIII族窒化物半導体結晶の成長速度が200(μm/h)以上2000(μm/h)以下である。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
下地基板を準備する工程と、 気相成長法により前記下地基板上に、四塩化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを備え、 前記第1のIII族窒化物半導体結晶の成長速度が200(μm/h)以上2000(μm/h)以下である、III族窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (2)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34
FI (2)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34
F-Term (31)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FG13 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 GaNパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査報告書(要約, 20070330, p.9-17

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