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J-GLOBAL ID：200903039768507235

窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法

Inventor：
川野 憲二

About 川野 憲二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001203956
Publication number (International publication number)：2003017420
Application date： Jul. 04, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】基板への窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、横方向成長等のデバイス工程を無くし、さらに低欠陥領域を均一に有する窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Siドーピング濃度が1×1019/cm3以上である第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はSiドーピング濃度が1×1019/cm3以下である第2の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。
Claim (excerpt)：
Siドーピング濃度が1×1019/cm3以上である第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はSiドーピング濃度が1×1019/cm3以下であり、貫通転位密度が1×108/cm2以下である第2の窒化ガリウム系化合物半導体層と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
F-Term (34)：
5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DB01 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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