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J-GLOBAL ID：200903039768507235

窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法

Inventor： 川野 憲二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001203956
Publication number (International publication number)：2003017420
Application date： Jul. 04, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板への窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、横方向成長等のデバイス工程を無くし、さらに低欠陥領域を均一に有する窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Siドーピング濃度が1×1019/cm3以上である第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はSiドーピング濃度が1×1019/cm3以下である第2の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。

Claim (excerpt)：

Siドーピング濃度が1×1019/cm3以上である第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はSiドーピング濃度が1×1019/cm3以下であり、貫通転位密度が1×108/cm2以下である第2の窒化ガリウム系化合物半導体層と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

F-Term (34)：

5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DB01 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-015228   Applicant：住友化学工業株式会社
• 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-368566   Applicant：理化学研究所, 学校法人早稲田大学
• 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-354318   Applicant：パイオニア株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-164169   Applicant：パイオニア株式会社
• 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-159341   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285406   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-364012   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-015228   Applicant：住友化学工業株式会社
• 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-368566   Applicant：理化学研究所, 学校法人早稲田大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 高濃度Si含有AlGaN超格子を用いた低転位バッファーの作製

Cited by examiner (1)

• 高濃度Si含有AlGaN超格子を用いた低転位バッファーの作製