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J-GLOBAL ID：200903064717310016

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor：
岡久 拓司

About 岡久 拓司

, 
中幡 英章

About 中幡 英章

, 
中畑 成二

About 中畑 成二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005004142
Publication number (International publication number)：2006193348
Application date： Jan. 11, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：
【課題】 比抵抗が制御された低転位密度のIII族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板1上に第1のIII族窒化物半導体層11をエピタキシャル成長させる成長工程と、第1のIII族窒化物半導体層11を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板11a,11b,11c,11dを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第1のIII族窒化物半導体層11に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
不純物元素として、C、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における前記不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる前記不純物元素の濃度の面内分布が1以上3以下であり、 比抵抗が1×104Ω・cm以上で、厚さが70μm以上であるIII族窒化物半導体基板。
IPC (2)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
F-Term (40)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FG11 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA66 ,  5F045DA67
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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