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J-GLOBAL ID:200903084295643816
液晶表示装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
丸島 儀一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994307490
Publication number (International publication number):1996160466
Application date: Dec. 12, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高品位テレビなどに対応できる高速駆動をなし得る液晶表示装置を提供すること。【構成】 画素電極に対応するスイッチング素子が、駆動回路が形成された単結晶半導体領域をなす半導体層と同一の半導体層に基づいて構成された領域で且つ前記単結晶半導体領域よりも欠陥密度が大きい単結晶半導体領域もしくは非単結晶半導体領域に形成されている液晶表示装置。【効果】 駆動回路と画素電極に対応するスイッチング素子との各々に要求される機能が最大限発揮され、極めて優れた画像を安定して表示できる。
Claim (excerpt):
行列状に配された複数の画素電極に対応して複数のスイッチング素子を備えると共に、前記複数のスイッチング素子を駆動するための駆動回路を備えたアクティブマトリクス回路基板と、前記画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、前記スイッチング素子が、前記駆動回路が形成された単結晶半導体領域をなす半導体層と同一の半導体層に基づいて構成された領域で且つ前記単結晶半導体領域よりも欠陥密度が大きい単結晶半導体領域もしくは非単結晶半導体領域に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, G09F 9/35 302
, H01L 29/786
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-297651
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-275412
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開昭59-045486
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特開昭63-101829
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半導体回路およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-067982
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-193720
Applicant:株式会社日立製作所
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マトリクス回路駆動装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-317996
Applicant:カシオ計算機株式会社
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薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-232466
Applicant:シャープ株式会社
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特開平3-259123
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特開昭60-010676
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