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J-GLOBAL ID：200903084372385078

紫外線照射による基板処理装置及び基板処理方法

Inventor：
木下 和人

About 木下 和人

, 
権守 和彦

About 権守 和彦

, 
秋葉 勇

About 秋葉 勇


Applicant, Patent owner：
日立電子エンジニアリング株式会社

About 日立電子エンジニアリング株式会社


Agent (1)： 影井 俊次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999017434
Publication number (International publication number)：2000216127
Application date： Jan. 26, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 エキシマランプが装着されるランプハウスを密閉しないでも、被処理用の基板の表面に短波長の紫外線をより効率的に照射できるようにする。【解決手段】 エキシマランプ1を装着したランプハウス12は下端が開口した容器からなり、その下端の開口部は基板10の表面に対面しており、上部に不活性ガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管13が接続され、基板10の走行方向の上流側の位置には、例えばオゾンガスを含むドライエア等からなる含酸素ガスを導入する含酸素ガス導入通路14が接続され、含酸素ガス導入部14は、基板10の走行方向に対して浅い角度で含酸素ガスを導入でき、もって基板10の表面側に所定の厚みを有する含酸素ガス層GLが形成される。
Claim (excerpt)：
被処理用の基板の表面に対面する側が開口したランプハウスと、このランプハウス内に装着したエキシマランプと、前記ランプハウス内に不活性ガスを加圧状態にして供給する不活性ガス供給部と、前記基板の表面に対して所定角度から含酸素ガスを供給して、この基板の表面に所定の厚みの酸素を含んだガス層を形成するための含酸素ガス導入部とを備える構成としたことを特徴とする紫外線照射による基板処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/304 645 ,  B01J 19/12 ,  B08B 5/00 ,  B08B 7/04 ,  C23F 4/00 ,  C23G 5/00
FI (6)：
H01L 21/304 645 D ,  B01J 19/12 G ,  B08B 5/00 Z ,  B08B 7/04 ,  C23F 4/00 Z ,  C23G 5/00
F-Term (33)：
3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB14 ,  3B116BC01 ,  4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA03 ,  4G075CA33 ,  4G075CA51 ,  4G075CA63 ,  4G075EB31 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06 ,  4G075FC04 ,  4K053PA01 ,  4K053PA13 ,  4K053QA04 ,  4K053QA07 ,  4K053RA02 ,  4K053SA01 ,  4K053SA20 ,  4K053YA17 ,  4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DB20 ,  4K057DD10 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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