磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：机昌彦 , 工藤雅司 , 谷澤靖久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005081789
Publication number (International publication number)：2005197764
Application date： Mar. 22, 2005
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】従来構造と比較して再生出力、S/N、及びビットエラーレートの値が良好で磁気抵抗効果膜部をセンス電流がきちんと流れることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加することを両立することができる磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。【解決手段】フリー層3とフリー層3上に形成されたバリア層4とバリア層4上に形成された固定層5の組合わせを基本構成とする磁気抵抗効果膜20を用いた、センス電流が当該磁気抵抗効果膜に対し略垂直に流れるタイプのシールド型磁気抵抗効果素子25が使用され、且つ下シールド1にアモルファス材料もしくは微結晶材料が使用されている磁気抵抗効果センサ30が示されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

フリー層とバリア層と固定層とがこの順で形成され、前記フリー層に縦バイアスを印加する縦バイアス層を有するシールド型トンネリング磁気抵抗効果素子であって、前記フリー層と前記固定層の幅をABS面に投影した場合の各層の幅が前記固定層の幅よりも前記フリー層の幅の方が広く、前記縦バイアス層の端部近傍で、前記フリー層パターンと縦バイアス層とが接しており、かつ下シールドがアモルファス材料もしくは微結晶材料からなることを特徴とするトンネリング磁気抵抗効果センサ。

IPC (2)：

H01L43/08 , G11B5/39

FI (3)：

H01L43/08 B , H01L43/08 Z , G11B5/39

F-Term (1)：

5D034BA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-120504 Applicant：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319254 Applicant：三洋電機株式会社
磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-187070 Applicant：株式会社東芝

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