Pat

J-GLOBAL ID：200903084693244000

プラズマを含む開放共振器に固定されたマイクロ波発振器を用いた電子密度の測定及びプラズマ処理制御システム

Inventor： バーディアン、ジョセフ・ティー ,  ジョンソン、ウェイン・エル ,  サーキス、マーレー・ディー
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001511588
Publication number (International publication number)：2003505828
Application date： Jul. 20, 2000
Publication date： Feb. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明の課題は、プラズマを含む開放共振器に固定されたマイクロ波発振器を用いた電子密度の測定及びプラズマ処理制御システムを提供することである。【解決手段】本発明は、プラズマ電子密度(1010〜1012cm-3程度)を測定し、プラズマ発生器を制御するシステムであり、フィードバック制御によるプラズマ密度の測定を用いて、プラズマ電子密度を予め選択された値に管理するためのプラズマ発生器を制御する制御電圧を生成し、開放共振器内へのプラズマの導入により共振周波数が変化したときに、局部発振器の周波数を開放マイクロ波共振器の共振周波数に固定する周波数安定化システムである。また第2のマイクロ波弁別器の増幅された出力電圧によりプラズマ発生器を制御する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生器を制御するシステムにおいて、 共振周波数で共振する開放共振器と、 変動する周波数を有する出力を有する発振器と、 前記共振周波数と前記変動する周波数との差を測定し、補正信号を前記発振器に印加して前記変動する周波数を、前記共振周波数に実質的に整合させるために変化させる制御回路と、を具備するシステム。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-190548   Applicant：株式会社ダイヘン
• マイクロ波プラズマCVDによる薄膜形成方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-331434   Applicant：三菱重工業株式会社
• プラズマ生成用の螺旋共振装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-343850   Applicant：エム・シー・エレクトロニクス株式会社
• 特開平4-063001
  
• プラズマ発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-135901   Applicant：三菱電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The use of microwave resonators for determination of plasma density