薄膜半導体装置及び表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997364554
Publication number (International publication number)：1999186561
Application date： Dec. 18, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタを外部電荷の悪影響から保護して信頼性を改善する。【解決手段】薄膜半導体装置は薄膜トランジスタ3を絶縁基板1上に集積形成したものである。薄膜トランジスタ3はボトムゲート構造を有し、下から順にゲート電極5、ゲート絶縁膜4、半導体薄膜2及び層間絶縁膜9を積層している。薄膜トランジスタ3はゲート電極5に対面するチャネル領域20とその両側に位置するソース領域7及びドレイン領域8とが半導体薄膜2に形成されている。層間絶縁膜9の表面にはチャネル領域20と重なる部分に導体膜10Sが形成されており、外部からチャネル領域20を電気的に遮蔽する。

Claim (excerpt)：

下から順にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体薄膜及び層間絶縁膜を積層したボトムゲート構造の薄膜トランジスタを絶縁基板上に集積形成した薄膜半導体装置であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極に対面するチャネル領域とその両側に位置するソース領域及びドレイン領域とが該半導体薄膜に形成されており、前記層間絶縁膜の表面には該チャネル領域と重なる部分に導体膜が形成されており、外部からチャネル領域を電気的に遮蔽することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , G09F 9/33

FI (4)：

H01L 29/78 619 A , G09F 9/33 A , H01L 29/78 612 A , H01L 29/78 617 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭56-125868
集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-161242 Applicant：日本電気株式会社
アクティブマトリクス表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-291791 Applicant：ソニー株式会社