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J-GLOBAL ID：200903084766759534

反応物質の流入を変化させることにより堆積された層を有する半導体デバイスを形成する方法。

Inventor： プラサッド・アルーリ ,  ラマチャンドラン・ムラリダハール
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999349093
Publication number (International publication number)：2000183058
Application date： Dec. 08, 1999
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 反応物質の流入を変化させることによって堆積された層を有する半導体デバイスを形成する方法が提供される。【解決手段】 半導体基板を真空チャンバ内に入れ、半導体基板20を大気圧以下の圧力下に置き、大気圧以下の圧力を維持しつつ、半導体基板の上に層40を堆積させることによって、半導体デバイスを形成する方法。層40の堆積は、(i)第1流量において、第1反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、(ii)真空チャンバ内への第1反応物質の流入を、第2流量に低下させる段階、および(iii)第1反応物質の真空チャンバ内への流入を、第3流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを形成する方法であって:半導体基板(10)を設ける段階;前記半導体基板(10)を真空チャンバ内に入れて、前記半導体基板を大気圧以下の圧力下に置く段階;および、前記大気圧以下の圧力を維持する一方で、(i)第1反応物質を、前記真空チャンバ内に第1流量で流入させる段階、(ii)前記第1反応物質の前記真空チャンバ内への流入を、第2流量に減少させる段階、および(iii)前記第1反応物質の前記真空チャンバ内への流入を、第3流量へと増加させる段階を連続して実施することによって、前記半導体基板(10)上に層(40)を堆積させる段階;を含むことを特徴とする方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-228541   Applicant：垂井康夫, シャープ株式会社, 日産自動車株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132393   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電体薄膜と基体との複合構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-053507   Applicant：垂井康夫, 旭化成工業株式会社, 日産自動車株式会社
• 特開平4-196321